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產(chǎn)品分類(lèi)

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號(hào)

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫(kù)存

購(gòu)買(mǎi)數(shù)量

單價(jià)

操作

DD435N40K

產(chǎn)品說(shuō)明：4000V、435A、整流二極管功率模塊

封裝：模塊
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C4042KV13-933FCXC

產(chǎn)品說(shuō)明：72Mbit 并行 933 MHz 同步 SRAM 存儲(chǔ)器 IC

封裝：361-FCBGA
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C2644KV18-333BZXI

產(chǎn)品說(shuō)明：144Mbit 333 MHz 同步 SRAM 存儲(chǔ)器 IC

封裝：FBGA-165
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1361KVE33-133AXM

產(chǎn)品說(shuō)明：9-Mbit 直通式同步 SRAM 存儲(chǔ)器 IC

封裝：100-TQFP
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1381KVE33-133AXM

產(chǎn)品說(shuō)明：18-Mbit 直通式同步 SRAM 存儲(chǔ)器 IC

封裝：100-TQFP
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TD820N16KOF

產(chǎn)品說(shuō)明：采用壓接技術(shù)的1600 V、60 mm晶閘管/二極管模塊

封裝：模塊
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1381KVE33-133AXI

產(chǎn)品說(shuō)明：ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением

封裝：100-TQFP
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TD700N22KOF

產(chǎn)品說(shuō)明：60 毫米晶閘管/二極管模塊，采用壓力觸點(diǎn)技術(shù)，電壓 2200 V

封裝：模塊
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1373KV33-100AXC

產(chǎn)品說(shuō)明：18-Mbit 同步 SRAM 存儲(chǔ)器 IC

封裝：100-TQFP
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TD570N16KOF

產(chǎn)品說(shuō)明：60 毫米晶閘管/二極管模塊，采用壓力觸點(diǎn)技術(shù)，電壓 1600 V

封裝：模塊
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1370KV33-250AXC

產(chǎn)品說(shuō)明：18-Mbit 同步 SRAM 存儲(chǔ)器 IC

封裝：100-TQFP
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TD520N22KOF

產(chǎn)品說(shuō)明：60 毫米晶閘管/二極管模塊，采用壓力觸點(diǎn)技術(shù)，電壓 2200 V

封裝：模塊
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1370KVE33-167AXM

產(chǎn)品說(shuō)明：18-Mbit 同步 SRAM 存儲(chǔ)器 IC

封裝：100-TQFP
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1460KV33-167AXC

產(chǎn)品說(shuō)明：36-Mbit 同步 SRAM 存儲(chǔ)器 IC

封裝：100-TQFP
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TLV4964-2M

產(chǎn)品說(shuō)明：磁性開(kāi)關(guān)——霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)，PG-SOT23-3

封裝：PG-SOT23-3
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1460KV33-167BZC

產(chǎn)品說(shuō)明：36-Mbit 同步 SRAM 存儲(chǔ)器 IC

封裝：FBGA-165
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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