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NCD57090DDWR2G是高电流单通道IGBT/MOSFET 栅极驱动器，具有 5 kVrms 内部电隔离、设计用于高功率应用中的高系统效率和高可靠性而设计。这些器件接受互补输入，并根据引脚配置的不同，可提供主动式米勒钳位（A/D/F 版本）、负电源（版本 B）和独立的高低电平（OUTH 和 OUTL）驱动器输出（C/E 版）等选项，以方便系统设计。驱动器可适应宽范围的输入偏置电压和信号电平（3.3 V 至 20 V）。

产品属性

技术：容性耦合

通道数：1

电压 - 隔离：5000Vrms

共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs（最大）

传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：90ns，90ns

脉宽失真（最大）：25ns

上升/下降时间（典型值）：13ns，13ns

电流 - 输出高、低：6.5A，6.5A

电流 - 峰值输出：6.5A

电压 - 输出供电：0V ~ 32V

工作温度：-40°C ~ 125°C

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

认证机构：VDE

应用

● 电机控制

● 不间断电源 (UPS)

● 汽车应用

● 工业电源

● 太阳能逆变器

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。