NTMFD024N06CT1G - 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 - 深圳市明佳达电子有限公司

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商品型号：NTMFD024N06CT1G

商品名称：NTMFD024N06CT1G

品牌：ON

年份：23+

封装：8-DFN

货期：全新原装

库存数量：1000 件

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公司名称：

制造商

型号

NTMFD024N06CT1G

封装

8-DFN

描述

MOSFET - 阵列 60V 8A（Ta），24A（Tc） 3.1W（Ta），28W（Tc）表面贴装型

NTMFD024N06CT1G N沟道MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。

产品属性

技术： MOSFET（金属氧化物）

配置：2 N-通道（双）

漏源电压（Vdss）： 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta），24A（Tc）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22.6 毫欧 @ 3A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 20µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.7nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 333pF @ 30V

功率 - 最大值： 3.1W（Ta），28W（Tc）

工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）

典型应用

• 电动工具、电池驱动真空吸尘器

• 无人机/无人驾驶飞机、材料处理

• BMS/ 存储、家庭自动化

1.平台上看到的库存、价格准确吗？

答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的解决方案。
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答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。
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