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服務(wù)電話(huà):86-755-83294757
商品名稱(chēng):ADP360120W3
數(shù)據(jù)手冊(cè):ADP360120W3.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
ADP360120W3是一款緊湊型六組模塊,專(zhuān)為混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器而優(yōu)化。該電源模塊的開(kāi)關(guān)采用第三代碳化硅功率 MOSFET開(kāi)關(guān)損耗非常小,在同步整流工作模式下性能卓越。這將確保最終應(yīng)用的超高效率,節(jié)省電池充電周期。銅底板和針腳鰭片底座結(jié)構(gòu)可為該電源模塊提供直接流體冷卻,最大限度地減少熱阻。為獲得最佳的開(kāi)關(guān)性能,我們開(kāi)發(fā)了專(zhuān)用的引腳布局,壓入式引腳可確保與驅(qū)動(dòng)板的最佳連接。
產(chǎn)品屬性
技術(shù):碳化硅(SiC)
配置:6 個(gè) N 溝道
漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):379A(Tj)
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):3.45 毫歐 @ 360A,18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.4V @ 40mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):944nC @ 18V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):28070pF @ 800V
功率 - 最大值:704W(Tj)
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類(lèi)型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
供應(yīng)商器件封裝:ACEPACK
應(yīng)用
● 主逆變器(電力牽引)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝
答:所有上架的在線(xiàn)商品均可在線(xiàn)即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線(xiàn)聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
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答:可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱(chēng)改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STM32C091KCU6
STM32C091KCU6是一款基于ARM Cortex-M0+內(nèi)核的32位微控制器(MCU),主要應(yīng)用于需要高性能和低功耗的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)?。其性能參數(shù)和應(yīng)用如下:性能參數(shù)核心處理器:ARM Cortex-M0+內(nèi)核規(guī)格:32-位速度:48MHz連接能力:I2C,IrDA,LINbus,SPI,UART/USART外設(shè):掉電檢測(cè)…STM32C091KCT6
STM32C091KCT6是一款基于ARM Cortex-M0+內(nèi)核的32位微控制器(MCU),工作頻率為48MHz?,具有256KB的閃存和36KB的RAM?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格核心處理器:ARM Cortex-M0+內(nèi)核規(guī)格:32-位速度:48MHz連接能力:I2C,IrDA,LINbus,SPI,UART/USART外設(shè):掉電檢…STM32C091CCU6
STM32C091CCU6微控制器?是一款基于高性能ARM Cortex-M0 32位RISC內(nèi)核的設(shè)備,工作頻率高達(dá)48 MHz。它配備了高速嵌入式存儲(chǔ)器,包括高達(dá)256K字節(jié)的閃存和36K字節(jié)的SRAM。其特性和技術(shù)規(guī)格如下:主要特性1、高性能內(nèi)核?:STM32C091CCU6采用ARM Cortex-M0 32位RISC內(nèi)核,工…STM32C091CCT6
STM32C091CCT6是一款基于ARM Cortex-M0內(nèi)核的32位微控制器,主頻高達(dá)48 MHz,具有高性能和低功耗的特點(diǎn)?。該芯片采用LQFP48封裝,體積小巧,適合多種嵌入式應(yīng)用場(chǎng)景。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場(chǎng)景如下:技術(shù)規(guī)格核心處理器:ARM Cortex-M0+內(nèi)核規(guī)格:32-位速度:48MHz連接能力:…STM32C091RCT6
STM32C091RCT6主流微控制器基于工作頻率可達(dá)48 MHz的高性能Arm Cortex-M0+ 32位RISC內(nèi)核。該MCU結(jié)合了內(nèi)存保護(hù)單元 (MPU)、高速嵌入式內(nèi)存(高達(dá)36 KB的SRAM和高達(dá)256 KB的Flash程序存儲(chǔ)器)、DMA以及各種系統(tǒng)功能、增強(qiáng)型I/O和外設(shè)。其應(yīng)用場(chǎng)景和技術(shù)參數(shù)如下:應(yīng)用場(chǎng)景…STM32C091RCI6
STM32C091RCI6是一款基于Arm Cortex-M0+ 32位RISC核心的微控制器,其工作頻率可達(dá)48 MHz?。它具有高集成度,適用于消費(fèi)者、工業(yè)和家電領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,并為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)解決方案做好了準(zhǔn)備?。其主要特性和技術(shù)規(guī)格如下:主要特性1、高性能?:STM32C091RCI6基于高性能…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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