商品名稱:A1F25M12W2-F1
數(shù)據(jù)手冊(cè):A1F25M12W2-F1.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:MODULE
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
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A1F25M12W2-F1該電源模塊采用帶 NTC 的 ACEPACK 1 模塊中的四組拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),并集成了意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的碳化硅 MOSFET(以 gen.2 技術(shù)為代表)。這種模塊化解決方案可用于實(shí)現(xiàn)具有極高功率密度特點(diǎn)的復(fù)雜拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),以滿足最高效率要求。
產(chǎn)品屬性
技術(shù): 碳化硅(SiC)
配置: 4 個(gè) N 通道
FET 功能: 碳化硅(SiC)
漏源電壓(Vdss): 1200V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :50A
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 34 毫歐 @ 50A,18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 4.9V @ 5mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 147nC @ 18V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 3500pF @ 800V
工作溫度: 175°C(TJ)
安裝類型: 底座安裝
封裝/外殼: 模塊
供應(yīng)商器件封裝: ACEPACK 1
應(yīng)用
? 直流/直流轉(zhuǎn)換器
? 高頻開關(guān)應(yīng)用
? 焊接
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STM32C091KCU6
STM32C091KCU6是一款基于ARM Cortex-M0+內(nèi)核的32位微控制器(MCU),主要應(yīng)用于需要高性能和低功耗的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)?。其性能參數(shù)和應(yīng)用如下:性能參數(shù)核心處理器:ARM Cortex-M0+內(nèi)核規(guī)格:32-位速度:48MHz連接能力:I2C,IrDA,LINbus,SPI,UART/USART外設(shè):掉電檢測(cè)…STM32C091KCT6
STM32C091KCT6是一款基于ARM Cortex-M0+內(nèi)核的32位微控制器(MCU),工作頻率為48MHz?,具有256KB的閃存和36KB的RAM?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格核心處理器:ARM Cortex-M0+內(nèi)核規(guī)格:32-位速度:48MHz連接能力:I2C,IrDA,LINbus,SPI,UART/USART外設(shè):掉電檢…STM32C091CCU6
STM32C091CCU6微控制器?是一款基于高性能ARM Cortex-M0 32位RISC內(nèi)核的設(shè)備,工作頻率高達(dá)48 MHz。它配備了高速嵌入式存儲(chǔ)器,包括高達(dá)256K字節(jié)的閃存和36K字節(jié)的SRAM。其特性和技術(shù)規(guī)格如下:主要特性1、高性能內(nèi)核?:STM32C091CCU6采用ARM Cortex-M0 32位RISC內(nèi)核,工…STM32C091CCT6
STM32C091CCT6是一款基于ARM Cortex-M0內(nèi)核的32位微控制器,主頻高達(dá)48 MHz,具有高性能和低功耗的特點(diǎn)?。該芯片采用LQFP48封裝,體積小巧,適合多種嵌入式應(yīng)用場(chǎng)景。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場(chǎng)景如下:技術(shù)規(guī)格核心處理器:ARM Cortex-M0+內(nèi)核規(guī)格:32-位速度:48MHz連接能力:…STM32C091RCT6
STM32C091RCT6主流微控制器基于工作頻率可達(dá)48 MHz的高性能Arm Cortex-M0+ 32位RISC內(nèi)核。該MCU結(jié)合了內(nèi)存保護(hù)單元 (MPU)、高速嵌入式內(nèi)存(高達(dá)36 KB的SRAM和高達(dá)256 KB的Flash程序存儲(chǔ)器)、DMA以及各種系統(tǒng)功能、增強(qiáng)型I/O和外設(shè)。其應(yīng)用場(chǎng)景和技術(shù)參數(shù)如下:應(yīng)用場(chǎng)景…STM32C091RCI6
STM32C091RCI6是一款基于Arm Cortex-M0+ 32位RISC核心的微控制器,其工作頻率可達(dá)48 MHz?。它具有高集成度,適用于消費(fèi)者、工業(yè)和家電領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,并為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)解決方案做好了準(zhǔn)備?。其主要特性和技術(shù)規(guī)格如下:主要特性1、高性能?:STM32C091RCI6基于高性能…電話咨詢:86-755-83294757
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