为人工智能 (AI) 和第五代移动通信技术 (5G) 的时代装备移动设备。动态随机存取存储器 (DRAM) 和 NAND 闪存整合在单一紧凑的封装内，提供旗舰级性能。LPDDR5 uMCP 带来了高带宽存储和内存，这对于智能手机、可穿戴设备和人工智能技术日益密集的数据需求至关重要。占用更少的空间，并为不断增长的 5G 世界提供能力。
KM5P9001DM-B424器件规格：
eStorage 密度：256 GB
eStorage 版本：UFS2.2
DRAM 密度：64 Gb
DRAM 类型：LPDDR4X
封装：254 FBGA
速率：4266Mbps
型号
品牌
封装
数量
描述
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K4AAG085WA-BCWE
K4AAG085WA-BCWE 是一款 16 Gb DDR4 内存模块，速度为 3200 Mbps，电压为 1.2 V。它专为 Al、服务器、5G 和连接应用而设计。K4AAG085WA-BCWE 的规格应用：人工智能、服务器、5G 和连接性密度：16 Gb组织：2G X 8速度：3200 Mbps电压：1.2 V温度：0 ~ 85 C封装：FBGA-78K4…
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M393A8G40BB4-CWE是一款带存储器的双列直插式存储模块，支持x4/x8组织/每个DIMM和2DPC配置，适用于服务器等应用。
M393A4K40EB3-CWE
M393A4K40EB3-CWE带存储器的双列直插式存储模块。
M321R8GA0PB0-CWM
M321R8GA0PB0-CWM是一种带存储器的双列直插式存储模块，适用于服务器等高性能应用。
M321R8GA0BB0-CQK
M321R8GA0BB0-CQK是一款带存储器的双列直插式存储模块，支持 DDR5 标准，适用于服务器等高性能应用。
M393A4K40DB2-CVF
M393A4K40DB2-CVF是一款带存储器的双列直插式存储模块，支持x4/x8组织/每个DIMM和2DPC配置，适用于服务器等应用。M393A4K40DB2-CVF规格容量：32 GB速率：2933 Mbps工作电压：1.2 VDDR：DDR4DIMM 类型：RDIMM内存区块组织：2R x 4组件成分：(2G x 4) x 36针脚数目：288M39…电话咨询：86-755-83294757
企业QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
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