AS4C256M16D3LC-12BCN 4Gb 雙數(shù)據(jù)速率-3 (DDR3L) DRAM 采用雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu),可實現(xiàn)高速運行。其內(nèi)部配置為八組 DRAM。
AS4C256M16D3LC-12BCN 的規(guī)格
內(nèi)存大?。? Gbit
數(shù)據(jù)總線寬度:16 位
最大時鐘頻率:800 MHz
封裝/外殼 FBGA-96
組織結(jié)構(gòu):256 M x 16
存取時間:20 毫微秒
電源電壓 - 最低 1.283 V
電源電壓 - 最大值:1.45 V
最低工作溫度 0 C
最高工作溫度 + 95 C
AS4C256M16D3LC-12BCN 的特性
符合 JEDEC 標準
電源: VDD & VDDQ =+1.35V (1.283V 至 1.45V)
向后兼容 VDD 和 VDDQ =+1.5V ±0.075V
支持 JEDEC 時鐘抖動規(guī)范
完全同步運行
快速時鐘速率: 800/933MHz
差分時鐘、CK 和 CK#
雙向差分數(shù)據(jù)選通--DQS 和 DQS#
8 個內(nèi)部存儲庫,可同時運行
8n 位預(yù)取架構(gòu)
流水線內(nèi)部結(jié)構(gòu)
預(yù)充電和主動掉電
可編程模式和擴展模式寄存器
加法延遲 (AL):0、CL-1、CL-2
可編程突發(fā)長度:4、8
突發(fā)類型 順序/交錯
輸出驅(qū)動器阻抗控制