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SCT4026DWAHRTL是一款SiC(碳化硅)沟槽MOSFET。其特点包括耐高压、低导通电阻和快速开关速度。该器件符合AEC-Q101汽车标准。

SCT4026DWAHRTL的规格：

FET 类型：N 通道

技术：SiC（碳化硅结晶体管）

漏源电压（Vdss）：750 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：51A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：34 毫欧 @ 29A，18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 15.4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：94 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+21V，-4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2320 pF @ 500 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作温度：175°C（TJ）

等级：汽车级

资质：AEC-Q101

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：TO-263-7LA

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