FCH060N80-F155 - N 沟道 MOSFET - 深圳市明佳达电子有限公司

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商品型号：FCH060N80-F155

商品名称：FCH060N80-F155

数据手册：FCH060N80-F155.pdf

品牌：ON

年份：23+

封装：TO247-3

货期：全新原装

库存数量：3000 件

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公司名称：

技术参数

制造商

型号

FCH060N80-F155

封装

TO247-3

描述

通孔 N 通道 800 V 56A（Tc） 500W（Tc） TO-247-3

产品描述

FCH060N80-F155 SuperFET® 功率 MOSFET 是新一代高压 MOSFET 器件，采用了先进的电荷平衡机制，实现了出色的低导通电阻和更低栅极电荷的性能。这种先进的技术经过量身定制，可降低导通损耗、提供出色的开关性能、承受极端 dv/dt 比率和更高的雪崩能量。此器件适用于在交换模式操作下的各种交流/直流电源转换，实现系统的小型化和更高的效率。

产品规格：

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：56A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 29A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 5.8mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：350 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14685 pF @ 100 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：500W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247-3

封装/外壳：TO-247-3

基本产品编号：FCH060

常见问题

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答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的解决方案。
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答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。
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答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。
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答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。
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答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。