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SCT3040KRC14 N-通道 SiC（碳化硅）功率MOSFET。

产品属性

产品种类:MOSFET

RoHS: 详细信息

技术:SiC

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-4

晶体管极性:N-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV

Id-连续漏极电流:55 A

Rds On-漏源导通电阻:40 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:- 4 V, + 22 V

Vgs th-栅源极阈值电压:5.6 V

Qg-栅极电荷:107 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:262 W

通道模式:Enhancement

系列:SCT3x

配置:Single

下降时间:19 ns

正向跨导 - 最小值:8.3 S

上升时间:19 ns

晶体管类型:1 N-Channel

典型关闭延迟时间:29 ns

典型接通延迟时间:6 ns

零件号别名:SCT3040KR

单位重量:6 g

产品应用

太阳能逆变器

直流/直流转换器

开关模式电源

感应加热

电机驱动

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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