SCT040W65G3-4是一款碳化硅功率MOSFET,具有650V的漏源極擊穿電壓、30A的連續(xù)漏極電流和45mOhm的典型導通電阻,采用HiP247-4封裝??。
SCT040W65G3-4采用ST的先進第三代SiC MOSFET技術,具有在整個溫度范圍內(nèi)非常低的RDS(on),結合低電容和非常高的開關操作頻率,能夠改善應用性能,提高頻率、能源效率、系統(tǒng)尺寸和重量減少?。
此外,SCT040W65G3-4具有非??焖俸头€(wěn)健的內(nèi)置體二極管,能夠在高達200°C的結溫下工作,并且具有源感應引腳以提高效率?。
技術參數(shù)
產(chǎn)品:SCT040W65G3-4
封裝 / 箱體::HiP247-4
晶體管極性::N-Channel
通道數(shù)量::1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓::650 V
Id-連續(xù)漏極電流::30 A
Rds On-漏源導通電阻::63 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓::- 10 V, + 22 V
Vgs th-柵源極閾值電壓::3 V
Qg-柵極電荷::37.5 nC
最小工作溫度::- 55 C
最大工作溫度::+ 200 C
Pd-功率耗散::240 W
通道模式::Enhancement
配置::Single
下降時間::19 ns
封裝::Tube
產(chǎn)品::SiC MOSFETS
產(chǎn)品類型::SiC MOSFETS
上升時間::7.4 ns
典型關閉延遲時間::29.6 ns
典型接通延遲時間::13 ns
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
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STM32C091KCU6是一款基于ARM Cortex-M0+內(nèi)核的32位微控制器(MCU),主要應用于需要高性能和低功耗的嵌入式系統(tǒng)設計?。其性能參數(shù)和應用如下:性能參數(shù)核心處理器:ARM Cortex-M0+內(nèi)核規(guī)格:32-位速度:48MHz連接能力:I2C,IrDA,LINbus,SPI,UART/USART外設:掉電檢測…STM32C091KCT6
STM32C091KCT6是一款基于ARM Cortex-M0+內(nèi)核的32位微控制器(MCU),工作頻率為48MHz?,具有256KB的閃存和36KB的RAM?。其技術規(guī)格和應用如下:技術規(guī)格核心處理器:ARM Cortex-M0+內(nèi)核規(guī)格:32-位速度:48MHz連接能力:I2C,IrDA,LINbus,SPI,UART/USART外設:掉電檢…STM32C091CCU6
STM32C091CCU6微控制器?是一款基于高性能ARM Cortex-M0 32位RISC內(nèi)核的設備,工作頻率高達48 MHz。它配備了高速嵌入式存儲器,包括高達256K字節(jié)的閃存和36K字節(jié)的SRAM。其特性和技術規(guī)格如下:主要特性1、高性能內(nèi)核?:STM32C091CCU6采用ARM Cortex-M0 32位RISC內(nèi)核,工…STM32C091CCT6
STM32C091CCT6是一款基于ARM Cortex-M0內(nèi)核的32位微控制器,主頻高達48 MHz,具有高性能和低功耗的特點?。該芯片采用LQFP48封裝,體積小巧,適合多種嵌入式應用場景。其技術規(guī)格和應用場景如下:技術規(guī)格核心處理器:ARM Cortex-M0+內(nèi)核規(guī)格:32-位速度:48MHz連接能力:…電話咨詢:86-755-83294757
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