商品名稱:STM32H747IIT6
數(shù)據(jù)手冊(cè):STM32H747IIT6.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:176-LQFP
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5000 件
STM32H747IIT6 32位雙核FLASH ARM Cortex微控制器IC 176-LQFP
STM32H747IIT6的產(chǎn)品說明
STM32H747IIT6器件集成了高速嵌入式存儲(chǔ)器,具有高達(dá)200萬字節(jié)的雙組閃存、高達(dá)100萬字節(jié)的RAM(包括192KB的TCM RAM、高達(dá)864KB的用戶SRAM和4KB的備份SRAM),以及大量連接到APB總線、AHB總線、2x32位多AHB總線矩陣和支持內(nèi)部和外部存儲(chǔ)器訪問的多層AXI互連的增強(qiáng)型I/O和外設(shè)。 STM32H747IIT6器件提供三個(gè)ADC、兩個(gè)DAC、兩個(gè)超低功耗比較器、一個(gè)低功耗RTC、一個(gè)高分辨率定時(shí)器、12個(gè)通用16位定時(shí)器、兩個(gè)用于電機(jī)控制的PWM定時(shí)器、五個(gè)低功耗定時(shí)器、一個(gè)真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器(RNG)。這些器件支持四個(gè)用于外部Σ-Δ調(diào)制器(DFSDM)的數(shù)字濾波器。它們還具有標(biāo)準(zhǔn)和高級(jí)通信接口。
STM32H747IIT6的規(guī)格
產(chǎn)品狀態(tài):激活
核心處理器:ARM? Cortex?-M4/M7
核心尺寸:32位雙核
速度:240MHz, 480MHz
連接性:CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I2C, IrDA, LINbus, MDIO, MMC/SD/SDIO, QSPI, SAI, SPDIF, SPI, SWPMI, UART/USART, USB OTG
外設(shè):欠壓檢測(cè)/復(fù)位、DMA、I2S、LCD、POR、PWM、WDT
I/O數(shù)量:168
程序存儲(chǔ)器大?。?MB (2M x 8)
程序存儲(chǔ)器類型:FLASH
RAM大小:1M x 8
電壓 - 電源(Vcc/Vdd):1.62V ~ 3.6V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 28x16b; D/A 2x12b
振蕩器類型:內(nèi)部
工作溫度:-40°C ~ 85°C (TA)
STM32H747IIT6的標(biāo)準(zhǔn)外設(shè)
四個(gè)I2Cs
四個(gè)USARTs,四個(gè)UARTs和一個(gè)LPUART
六個(gè)SPI,三個(gè)I2S,采用半雙工模式。為了達(dá)到音頻級(jí)精度,I2S外設(shè)可以通過專用的內(nèi)部音頻PLL或外部時(shí)鐘來實(shí)現(xiàn)同步。
四個(gè)SAI串行音頻接口
一個(gè)SPDIFRX接口
一個(gè)SWPMI(單線協(xié)議主接口)
管理數(shù)據(jù)輸入/輸出(MDIO)從機(jī)
兩個(gè)SDMMC接口
一個(gè)USB OTG全速接口和一個(gè)具有全速功能的USB OTG高速接口(使用ULPI)。
一個(gè)FDCAN加一個(gè)TT-FDCAN接口
一個(gè)以太網(wǎng)接口
Chrom-ART加速器
HDMI-CEC
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級(jí)溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時(shí)為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場(chǎng)運(yùn)算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場(chǎng)景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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