6 月 7 日消息，據(jù) BusinessPost報道，長鑫存儲在智能手機、IT 設備、機器人、自動駕駛汽車等領域應用的 LPDDR 技術(shù)上已逼近韓國水平，并已開始著手開發(fā)下一代 LPDDR6 技術(shù)。為了不被輕易趕超，三星電子 DS 部門副董事長全永鉉預計將在今年下半年通過“1c DRAM”工藝開發(fā)…
6 月 7 日消息，據(jù) BusinessPost報道，長鑫存儲在智能手機、IT 設備、機器人、自動駕駛汽車等領域應用的 LPDDR 技術(shù)上已逼近韓國水平，并已開始著手開發(fā)下一代 LPDDR6 技術(shù)。
為了不被輕易趕超，三星電子 DS 部門副董事長全永鉉預計將在今年下半年通過“1c DRAM”工藝開發(fā)出下一代“LPDDR6”內(nèi)存并量產(chǎn)，計劃向高通等科技巨頭供貨。
半導體行業(yè)認為，考慮到當前開發(fā)速度，長鑫存儲最早可能在 2026 年實現(xiàn) LPDDR6 量產(chǎn)（已于 2023 年底實現(xiàn) LPDDR5 商用），與三星電子的量產(chǎn)時間相差不足一年。
按照 DRAM 工藝的發(fā)展順序：1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）、1a（第四代）、1b（第五代）、1c（第六代）。隨著每一代的迭代，線寬都會變得更細，從而提高性能和能效。
SamMobile 此前報道稱，高通預計將在其下一代筆記本電腦 SoC“驍龍 X Elite 2”中采用 LPDDR6 內(nèi)存，而該芯片預計將于今年 9 月 23 日的驍龍峰會首發(fā)亮相，后續(xù)將保持關注。
BusinessPost 表示，長鑫存儲已宣布在 2026 年前逐步停止生產(chǎn) DDR4 DRAM 并轉(zhuǎn)向 DDR5，其目標是在今年年底前將月產(chǎn)量提高到 30 萬片晶圓（約為三星電子 2024 年月產(chǎn)量的 45%）。
《電子時報》（DigiTimes）預計，到 2025 年底，DDR5、LPDDR5X 和 LPDDR5 將占長鑫存儲 DRAM 總產(chǎn)量的 60% 左右。
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