深圳市明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng) TI INA219BIDR 零漂移雙向電流功率監(jiān)測(cè)器,帶I2C接口在當(dāng)今電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,精確的電流和功率監(jiān)測(cè)已成為提高能效、優(yōu)化系統(tǒng)性能的關(guān)鍵要素。深圳市明佳達(dá)電子有限公司作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的電子元器件供應(yīng)商,為工業(yè)自動(dòng)化、新能源、消費(fèi)電子等領(lǐng)…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng) TI INA219BIDR 零漂移雙向電流功率監(jiān)測(cè)器,帶I2C接口
在當(dāng)今電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,精確的電流和功率監(jiān)測(cè)已成為提高能效、優(yōu)化系統(tǒng)性能的關(guān)鍵要素。深圳市明佳達(dá)電子有限公司作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的電子元器件供應(yīng)商,為工業(yè)自動(dòng)化、新能源、消費(fèi)電子等領(lǐng)域提供TI原裝正品INA219BIDR零漂移雙向電流/功率監(jiān)測(cè)器。
INA219BIDR產(chǎn)品概述與技術(shù)亮點(diǎn)
INA219BIDR是一款高精度雙向電流和功率監(jiān)測(cè)計(jì),采用SOIC-8封裝,具備I2C或SMBus兼容接口,專為需要精確電能管理的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該INA219BIDR器件能夠同時(shí)監(jiān)測(cè)分流器上的電壓降和總線電源電壓,通過內(nèi)置的16位ADC和可編程增益放大器(PGA)實(shí)現(xiàn)高精度測(cè)量。
零漂移架構(gòu)是INA219BIDR的核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)之一。相比傳統(tǒng)電流監(jiān)測(cè)方案,其輸入偏置電壓(Vos)低至50μV,確保在-40°C至+125°C的寬溫度范圍內(nèi)保持0.5%的高精度測(cè)量,消除了溫度變化帶來的測(cè)量誤差。這種特性使其特別適合長(zhǎng)期運(yùn)行且環(huán)境溫度變化大的工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景。
INA219BIDR的主要技術(shù)參數(shù)包括:
總線電壓范圍:0V至26V,覆蓋大多數(shù)低壓系統(tǒng)需求
電源電壓:3V至5.5V單電源供電,最大電流消耗僅1mA
通信接口:標(biāo)準(zhǔn)I2C/SMBus接口,支持16個(gè)可編程地址
封裝形式:工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOIC-8,便于PCB布局和焊接
INA219BIDR的功能特點(diǎn)與系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
INA219BIDR集成了多項(xiàng)先進(jìn)功能,大大簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并提高了測(cè)量可靠性。其可編程校準(zhǔn)值與內(nèi)部乘法器相結(jié)合,支持直接讀取電流值(安培)和通過附加乘法寄存器計(jì)算功率值(瓦特)。這種集成設(shè)計(jì)消除了外部計(jì)算電路的需求,減少了BOM成本和PCB面積。
雙向電流監(jiān)測(cè)能力使該器件能夠同時(shí)測(cè)量正向和反向電流流動(dòng),特別適用于電池充放電管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等需要監(jiān)測(cè)能量雙向流動(dòng)的應(yīng)用場(chǎng)景。INA219BIDR通過配置內(nèi)部PGA(增益可編程為±40mV、±80mV、±160mV或±320mV),設(shè)計(jì)人員可以靈活適配不同阻值的分流電阻,優(yōu)化測(cè)量范圍和精度。
該INA219BIDR器件的I2C接口支持標(biāo)準(zhǔn)模式(100kHz)和快速模式(400kHz)通信,具有16個(gè)可編程地址(通過A0和A1引腳配置),方便在同一總線上連接多個(gè)監(jiān)測(cè)節(jié)點(diǎn)。內(nèi)部濾波選項(xiàng)可通過編程設(shè)定,有效抑制高頻噪聲,提高測(cè)量穩(wěn)定性。
INA219BIDR的低功耗特性(工作電流典型值1mA)使其非常適合便攜式和電池供電設(shè)備。INA219BIDR其寬工作溫度范圍(-40°C至+125°C)則確保了在惡劣環(huán)境下的可靠運(yùn)行,滿足工業(yè)級(jí)和汽車級(jí)應(yīng)用要求。
INA219BIDR的電氣特性:
總線電壓測(cè)量:0V至26V范圍,分辨率3.2mV/LSB
分流電壓測(cè)量:取決于PGA設(shè)置,最高±320mV滿量程
電流計(jì)算:電流=分流電壓/分流電阻值
功率計(jì)算:功率=總線電壓×電流值
ADC分辨率:16位,轉(zhuǎn)換時(shí)間可配置為84μs至8.244ms
INA219BIDR的PCB設(shè)計(jì)建議:
分流電阻布局:盡可能靠近INA219BIDR的IN+和IN-引腳,采用開爾文連接減少寄生電阻影響
電源去耦:在Vs引腳附近放置1μF陶瓷電容,確保電源穩(wěn)定
熱管理:雖然INA219BIDR功耗低,但在高環(huán)境溫度應(yīng)用中仍需注意散熱
I2C布線:SCL和SDA信號(hào)線應(yīng)盡量短,必要時(shí)添加適當(dāng)上拉電阻
INA219BIDR的典型應(yīng)用場(chǎng)景
1. 工業(yè)自動(dòng)化與電機(jī)控制
在PLC系統(tǒng)、伺服驅(qū)動(dòng)和工業(yè)機(jī)器人中,INA219BIDR可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電機(jī)相電流和總線電壓,實(shí)現(xiàn)精確的閉環(huán)控制和過流保護(hù)。其高側(cè)電流檢測(cè)能力避免了接地回路干擾,而寬溫度范圍確保在工廠環(huán)境下穩(wěn)定工作。
2. 新能源與儲(chǔ)能系統(tǒng)
在光伏逆變器、電池管理系統(tǒng)(BMS)和充電樁中,該INA219BIDR器件用于能量流監(jiān)測(cè),精確計(jì)量充放電電流和功率,優(yōu)化系統(tǒng)效率。其雙向測(cè)量能力特別適合儲(chǔ)能系統(tǒng),可同時(shí)監(jiān)測(cè)電網(wǎng)饋電和電池充放電狀態(tài)。
3. 消費(fèi)電子與智能設(shè)備
對(duì)于筆記本電腦、智能手機(jī)充電器和智能家居設(shè)備,INA219BIDR的小尺寸和低功耗特性使其成為電源管理的理想選擇。它可以監(jiān)測(cè)設(shè)備功耗,實(shí)現(xiàn)智能省電策略,并通過I2C接口將數(shù)據(jù)傳送給主控MCU。
4. 通信基礎(chǔ)設(shè)施
在5G基站、路由器和交換機(jī)中,該INA219BIDR器件用于監(jiān)測(cè)電源分配網(wǎng)絡(luò)的電流和功率,幫助優(yōu)化能源使用并檢測(cè)故障。其高精度確保了通信設(shè)備電源管理的可靠性。
時(shí)間:2025-06-11
時(shí)間:2025-06-10
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